KSC2258STU

产品描述

Trans GP BJT NPN 250V 0.1A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

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1	¥0.775

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Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	60
晶体管类型	NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	250V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	1.2V @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大）	-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	40 @ 40mA, 20V
功率 - 最大	4W
频率转换	100MHz
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装	TO-126
包装材料	Tube
包装	3TO-126
类型	NPN
引脚数	3
最大集电极发射极电压	250 V
集电极最大直流电流	0.1 A
最小直流电流增益	40@40mA@20V\|30@5mA@50V
最大工作频率	100(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压	1.2@5mA@50mA V
工作温度	-55 to 150 °C
最大功率耗散	4000 mW
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
集电极最大直流电流	0.1
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
标准包装名称	TO-225-AA
最低工作温度	-55
最大功率耗散	4000
最大基地发射极电压	6
Maximum Transition Frequency	100(Typ)
封装	Rail
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	250
供应商封装形式	TO-126
最大集电极发射极电压	250
铅形状	Through Hole
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	100mA
晶体管类型	NPN
安装类型	Through Hole
频率 - 转换	100MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	1.2V @ 5mA, 50mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	250V
供应商设备封装	TO-126
功率 - 最大	4W
封装/外壳	TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	40 @ 40mA, 20V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
KSC2258AS	fairchild semiconductor	Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
KSC2258ASTU	Fairchild Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT NPN Epitaxial Sil

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